9月26日，华灿光电（300323）在深圳正式发布新一代Mini LED芯片产品。公司表示，新品发布标志着公司在微显示领域技术进展方面取得新突破，并对未来技术展开新布局。
作为国内行业规模第二的LED芯片企业，华灿光电对于Mini LED以及Micro LED产品，在外延和芯片工艺方面进行了全方位优化，已经取得了多项技术突破。
据介绍，华灿光电此次发布的Mini BGB LED芯片和背光用 Mini LED芯片，分别应用于电视和消费电子、车载显示屏，产品从光效、耐电流冲击能力到一致性和可靠性，都有大幅提升和优化。
在Mini RGB LED芯片技术优化方面，华灿设计了高效钝化层的制作，对金属连接层进行平滑覆盖，并针对Mura效应这一COB封装形式中常见的显示异常，华灿光电通过特有的芯片混编技术，可以消除COB应用情况下的Mura效应。此外，随着芯片尺寸的持续减小，免锡膏方案将成为提高良率降低成本的关键，对此华灿光电也实现了将锡球直接制作在Mini LED芯片电极上的技术应用。在Mini BLU芯片技术优化方面，华灿光电优化了膜层结构设计，调节芯片出光，更易实现超薄设计。
在Micro LED芯片技术优化方面，华灿进行了深刻蚀斜角优化，从而实现了微米级工艺线宽控制，并且选择衬底激光剥离技术。
在红光Mini LED芯片技术方面，华灿开发出高键合良率的转移和键合工艺；并设计了顶伤防护层，优化材料沉积工艺，增强膜质，保证无外延顶伤风险。
在背光Mini LED芯片技术方面，华灿光电优化了膜层结构设计，调节芯片出光，更易实现超薄设计。
在Micro-LED芯片方面，华灿光电在Sub微米级的工艺线宽控制、芯片侧面漏电保护、衬底剥离技术（批量芯片转移）、阵列键合技术（阵列转移键合）、Micro LED的光形与取光调控方面取得了较好的结果。目前所获得的的芯片良率可以达到5个9的水平，红光Micro LED效率也到达了国际领先水平，并针对不同转移方式，可以提供多种形式的Micro LED样品。
“LED自发光显示微缩化的核心就是Mini/Micro-LED芯片。”华灿光电副总裁王江波博士介绍，华灿光电Mini-LED新品拥有着众多华灿特有的技术特点，可以满足下游客户的需求。
据王江波博士介绍，在未来技术布局上，华灿光电全面布局新一代显示芯片专利，从外延结构、芯片结构、工艺生产流程等方面全方位布局。目前共计有申请专利88件，其中发明专利77件，实用新型专利11件；共计有授权专利40件，其中发明专利29件，实用新型专利1件。
专业机构调查显示，Mini LED显示将应用于电视、手机、车载显示、数字显示（商业广告与显示等），预估2025年市场规模为10.7亿美元。，预期采用Mini LED背光的TV背板市值将达到82亿美元，其中20%的成本比例在Mini LED芯片。
产业链上中下游及相关设备、材料厂商的配合决定着Mini/Micro LED发展的时间及成本等一系列的问题。
因此华灿光电与多家知名企业的微显示战略合作签约仪式也成为本次发布会的焦点。
此次华灿光电与高端显示产业链主流企业京东方、夏普、群创光电、洲明科技、希达电子、雷曼光电和中麒光电等七家企业签署了微显示战略合作。
来源：中国证券报，高工LED网，行家说
