光刻工艺包括负性光刻和正性光刻两种基本工艺。负性光刻是把与掩膜版上图形相反的图形复刻到硅片表面；正性光刻是把与掩膜版上图形相同的图形复刻到硅片表面，这两种基本工艺的主要区别是选用光刻胶的种类不同。
负性光刻
负性光刻的基本特征是当曝光后，光刻胶会因交联而变得不可溶解并会硬化。一旦硬化，交联的光刻胶就不能在溶剂中被洗掉，因为光刻胶上的图形与投影掩膜版上的图形相反。负性光刻胶是最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶。
资料来源：《半导体制造技术》，Michael Quirk著
上图可看出负性光刻胶的掩膜版是透明的石英版，掩膜版的黑色部分是一层沉积的铬膜，由于铬是不透明的且不允许紫外光透过，可形成想得到的掩膜版图案。
对于负性光刻胶，在掩膜版上不透明铬下面的区域没被曝光，因此没有改变，光刻胶仍保持软的状态。当曝露在显影化学溶剂中时就会溶解。紫外光透过掩膜版透明区域后把光刻胶硬化，所以就不会溶解在显影液中。
正性光刻
正性光刻是复制到硅片表面的图形与掩膜版一样，被紫外光曝光后的区域经历了一种化学反应，在显影液中软化并可溶解在显影液中。曝光的正性光刻胶区域将在显影液中除去，而不透明的掩膜版下的没有被曝光的光刻胶仍留在硅片上，如下图所示：
资料来源：《半导体制造技术》，Michael Quirk著
由于形成的光刻胶上的图形与投影掩膜版上的相同，所以这种光刻胶就叫做正性光刻胶。保留下来的光刻胶在曝光前已被硬化并将留在硅片表面，作为后步工艺比如刻蚀的保护层，在接下来的工艺结束后光刻胶将被除去。
20世纪70年代以来正性光刻胶成为主流光刻胶。
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