中芯国际年底量8nm工艺？官方道出真相
华为芯片断供之后，整个芯片产业链的一举一动都牵动人心。近日有不少网友称，中芯国际在今年年底量产8nm芯片。对此，有投资者在互动平台询问相关情况，中芯国际官方正式回应，道出事实真相。
中芯国际称该公司的第一代FinFET 14nm工艺已于第四季度量产，第二代FinFET N+1工艺已经进入客户导入阶段，可望于底小批量试产。
从中芯国际回应来看，并没有提到所谓的8nm工艺，只是提到了N+1工艺。其实在此之前，中芯国际官方就详细解释过N+1工艺。中芯国际只是强调N+1是中芯国际的内部代号，但从未明确具体数字节点。由此可见，N+1工艺它并不等于7nm工艺，也不是网友所说的8nm工艺。
据了解，中芯国际的N+1工艺相比于14nm性能提升20％、功耗降低57％、逻辑面积缩小63％、SoC面积缩小55％。至于N+2工艺，稳定性更高一些，与台积电的7nm更为接近，但是性能仍然略逊一筹。
从N+1性能来看，N+1更类似于台积电10nm，或者有点像三星的8nm，因为20％的性能提升幅度远低于台积电预计的30％、实际的35％。网友口中所说的8nm工艺应该就是N+1工艺。
目前，中芯国际的N+1工艺进展顺利，已经进入客户产品验证阶段。按照这样的进展速度推测，中芯国际N+1代工艺应该在规模量产。
值得一提的是，中芯国际的N + 1没有使用荷兰ASML极端紫外光刻（EUV），完美的绕开了7nm芯片的生产工艺所需要的光刻机。但这并不是说中芯国际不考虑EUV光刻机，只是由于美国的阻扰还没有到货。
无论如何，中芯国际的N＋1以及N＋2工艺芯片将首次突破10nm芯片以下的技术空白。尤其是不需要EVU光刻机也能生产出10nm下的芯片，还是值得庆祝的事。
相信大家在高兴的同时，也有着一个困惑，中芯国际不借助EVU光刻机，还可以生产更先进制程的芯片吗？答案是否定的。
其实N+1，N+2工艺，是中芯国际在芯片制程的一次尝试，本质上还是基于14nm芯片制程实现的，和台积电、三星最先进的7nm工艺仍有一定差距的。再有，台积电和三星都已经量产5nm工艺芯片，向更先进的3nm进发了。
所以，虽然中芯国际突破了EVU光刻机的限制，可以生产N+1,N+2工艺芯片，但是想要生产更先进制程的产芯片品，比如5nm、3nm芯片，还是要用到EUV光刻机的。
中芯国际年底量8nm工艺？官方道出真相。对此，你有什么想说的吗？欢迎在评论区留言。
