此外，5nm以及6nm正在大规模量产。
策划&撰写：家衡
昨日，台积电举办了第26届技术研讨会，并披露旗下最新工艺制程信息。
在会上，台积电公布了目前最先进的3nm以及4nm，其中3nm是5nm的更新迭代，而4nm是5nm的改良版本。台积电也宣布了5nm以及6nm正在大规模量产。
5nm作为目前最先进的制程，将被应用在苹果A14、华为麒麟9000、高通骁龙875以及联发科天玑2000上。目前量产中5nm（N5）引进了EUV（极紫外光刻）技术，并且将在明年推出基于N5的增强版——N5P，性能将进一步提升。
而相较于5nm，新一代的3nm功耗将减少25~30%、性能提升10~15%。而作为5nm升级版的4nm（N4）将在明年晚些时候风险试产，最快于量产。如果一切顺利，台积电的N5用户将顺利过渡到N4。
除台积电外，三星希望在明年就推出3nm产品。在核心技术方面，三星的3nm将改用Gate-All-Around（GAA，环绕栅极晶体管），台积电则是坚持使用FinFET（鳍式场效应晶体管）。
