Qualcomm msm8996 调试AMOLED屏

由调试AMOLED屏的重要点在于给屏提供的两个电，OVDD（4.6V）与OVSS（-2.9V），电是由平台的PMU pm8996提供的，由SWIRE信号控制，主要修改了供电的方式，先写在内核中点亮的过程。

点亮内核

在项目的dtsi文件中修改如下几个属性，其他的与LCD屏调试一样。

1.在msm-pmi8994.dtsi文件中添加如下属性。添加最后一行: qcom,disp-type-amoled;

注释掉属性

/qcom,en-ext-pfet-sc-pro;/

qcom,leds@d800 {compatible = "qcom,qpnp-wled";reg = <0xd800 0x100>,..qcom,en-ext-pfet-sc-pro;qcom,cons-sync-write-delay-us = <1000>;/*qcom,en-ext-pfet-sc-pro;*/qcom,disp-type-amoled;};

2.在项目dtsi中修如下属性。

labibb {qpnp,qpnp-labibb-mode = “lcd"; /* remove this line */qpnp,qpnp-labibb-mode = "amoled"; /* add this line */qpnp,swire-control; /* add this line*/};

增加如下的节点，

&lab_regulator {/delete-property/ qcom,qpnp-lab-ps-enable;};

4.增加如下的节点，名字添加的屏的dtsi文件决定

&dsi_XXXX_1080p_video {qcom,mdss-dsi-bl-pmic-control-type = "bl_ctrl_dcs";qcom,mdss-dsi-bl-min-level = <1>;qcom,mdss-dsi-bl-max-level = <255>;qcom,mdss-brightness-max-level = <255>;qcom,cont-splash-enabled;qcom,panel-supply-entries = <&dsi_panel_pwr_supply_amoled>;};

5.修改dsi_panel_pwr_supply_amoled 的电压lab（4.6V）ibb（-2.9V）

qcom,supply-max-voltage = <46000000>;qcom,supply-min-voltage = <2900000>;qcom,supply-max-voltage = <2900000>;

点亮bootloader（lk）

1.在lk中只需要在panel_XXX_video.h 中增加如下数据结构

static struct labibb_desc panel_truly_1080p_video_labibb = {1, // lcd = 0, amoled = 11, // force_config 0 to use default value2900000, // IBB minimum voltage in µV 这个电压由屏的SPEC决定。2900000, // IBB maximum voltage in µV4600000, // LAB minimum voltage in µV4600000, // LAB maximum voltage in µV3, // power up delay3, //power down delay1, //IBB discharge enable1 // SWIRE control};

增加了这个节点后还是不能点亮。器测量电压发现LAB与IBB不受SWIRE信号控制。通过对比旧基线与新基线发现是高通代码bug，缺失了一部分代码，然后发现AVDD上电比较早导致时序不对.是mpp信号不对.在xbl中增加代码,拉低mpp.就可以了。

调节avdd的电压为5.8V,默认值为7.6V

在节点qcom,leds@d800中增加属性

qcom,ovp-mv = <17800>; //原来值29500qcom,avdd-target-voltage-mv = <5800>;

在lk中修改如下

dev/qpnp_wled/include/qpnp_wled.h#define QPNP_WLED_AVDD_DEFAULT_VOLTAGE_MV 5800dev/qpnp_wled/qpnp_wled.cwled->ovp_mv = QPNP_WLED_OVP_17800_MV;