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6月19日，据市场消息，台积电最近开始准备为苹果和英伟达试产2纳米产品。另外，为了开发2纳米制程，台积电将派约1000名研发人员前往位于竹科目前正在建设中的Fab 20晶圆厂工作。
据了解，该厂计划在2025年开始量产。台积电的2纳米技术在相同功耗下，相比3纳米工艺的速度快10-15%；相同速度下，功耗降低25-30%。
外媒指出，三星电子于 年 6 月采用 GAA 技术开始量产 3 奈米制成芯片，比台积电提前 6 个月，成为全球首家量产该制程技术的企业。而受到三星先发制人的冲击，台积电高层多次公开 2 奈米制程技术的发展计划，形成先进制程发展竞赛。
除了台积电之外，先前宣布计划在 年重新进入晶圆代工业务的处理器大厂英特尔 (intel) 也加入了先进制程研发竞赛。这家美国半导体大厂在当地时间 6 月 1 日的在线活动中公布了其芯片背面电源解决方案 PowerVia 的技术发展、测试数据和路线图，开始扩大其在晶圆代工产业的影响力。据报导，当前的台积电还在开发芯片背面供电的技术，目标是到 2026 年使用该技术。
此外，英特尔设定了一个目标，就是在 2024 年下半年将其代工技术推进到 1.8 奈米的节点。3 月，该公司制定了一项计划，就是藉由与 ARM 建立合作伙伴关系，达成 1.8 奈米制程技术的量产。不过，市场人士也存在一些不确定看法，认为即使英特尔按照路线图取得成功，但最终要达到收支平衡，对公司来说仍是一个很大的挑战。
报导还说明了台积电另一竞争对手三星的情况，就是三星 DS 部门总裁 Kyung Kye-hyun 于 5 月初的一次演讲中表示，三星计划超越台积电，目标就是从比台积电更早使用 GAA 技术的 2 奈米制程开始。
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